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Nuevo método de crecimiento de cuarzo nanométrico sobre silicio mejorará la microelectrónica  20/05/2013

Imágenes que muestran el crecimiento heteroepitaxial de las obleas de cuarzo sobre silicio. Fuente: CSIC.

Un equipo con participación de investigadores del Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) ha desarrollado un nuevo método de crecimiento epitaxial de capas delgadas de cuarzo sobre obleas de silicio. El trabajo, que aparece publicado en el último número de la revista Science, podría impulsar nuevos avances en campos como el de los sensores o la microelectrónica.

Los investigadores han obtenido capas de cuarzo con un espesor comprendido entre 100 nanómetros y una micra. Para ello han utilizado un método químico mediante el cual han depositado una solución sobre obleas de silicio que posteriormente han sido tratadas térmicamente. Las capas de cuarzo crecen de forma epitaxial, es decir, con todos sus cristales orientados en la misma dirección gracias al sustrato semiconductor monocristalino sobre el que quedan anclados y perfectamente integrados.

Los resultados, patentados en 2012 por el CSIC y el Laboratoire de Chimie de la Matière Condensée del Centre national de la recherche scientifique (Francia), que ha liderado este trabajo, podrían tener repercusiones en diferentes campos de la investigación en física aplicada, desde sensores a nuevos dispositivos en tecnologías de la información. Una de las ventajas de tener capas de cuarzo con un espesor nanométrico es que podrían conseguirse frecuencias de resonancia más elevadas que las de los dispositivos actuales.

Hasta ahora, el cuarzo empleado en la fabricación de los osciladores de los dispositivos electrónicos consistía de pequeños monocristales tallados y pulidos a partir de otros más grandes, un tipo de mecanizado que impone un límite a la miniaturización que puede alcanzarse.

Más información

CSIC

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