Investigadores de la compañía Hewlett Packard y de la Universidad de California, en Santa Bárbara (Estados Unidos), han analizado con un detalle sin precedentes las propiedades físicas y químicas de un dispositivo electrónico que los ingenieros computacionales esperan transforme la computación algún día.

Se trata de un memristor (de resistencia y memoria), que en teoría de circuitos eléctricos está considerado un elemento de circuito pasivo, al igual que el condensador, la resistencia y el inductor.

Se cree que los memristors, que tienen la capacidad de “recordar” toda la carga electrónica que pasa a través de ellos, supondrán un beneficio enorme cuando puedan trasladar el proceso neuronal de las sinapsis (conexión entre neuronas) a los circuitos electrónicos, imitando así las complejas redes neuronales del cerebro. Pero, para llegar a esto, en primer lugar los científicos necesitan comprender los procesos físicos de los memristors.

En este caso, los científicos utilizaron rayos X para delimitar las propiedades físicas y químicas que a nanoescala presentan estos dispositivos electrónicos. De esta forma, consiguieron localizar un canal, de 100 nanómetros de ancho, en el que ocurría el cambio de resistencia eléctrica del memristor analizado (estos dispositivos almacenan información porque el nivel de su resistencia eléctrica cambia cuando es aplicada la corriente).

Según los investigadores, ahora se tiene una imagen directa del canal durante la operación eléctrica, lo que podría jugar un importante papel en la aceleración de la física que controla el comportamiento de estos dispositivos.

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